[01378903]基于碳化硅三极管的β射线探测器
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法,主要解决了现有β射线探测器灵敏度低,抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触（1）、掺杂浓度为1×1019～3×1019cm-3发射区（2）、厚0.5μm掺杂浓度为1×1017～5×1017cm-3的p型基区外延层（3）、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型集电区外延层（4）、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型高掺杂SiC衬底（5）和衬底背面集电极欧姆接触（6）,该发射极欧姆接触（1）由一条水平栅条和多条垂直栅条组成,垂直栅条宽h＝5μm,其间距是栅宽的8～12倍,水平栅条宽度为垂直栅条宽度的2～10倍,长度是垂直栅条长度的1～10倍。本发明在300℃高温下工作,抗辐射性强,灵敏度高,工作电压低,可用于辐射监测领域。