[01372835]一种InGaZnO透明导电薄膜的L-MBE制备方法
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本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材（In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1）,利用等离子辅助L-MBE设备,在高真空条件下（本底真空度为10-6Pa,生长时O2分压为10-3Pa,射频功率为100-400W）,在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜的工艺。其中射频功率300W时所得到的InGaZnO薄膜可见光范围透过率超过80％,电阻率为5.24×10-3Ωcm,电子迁移率为16.14cm2v-1s-1,电子浓度为8.31×1019cm-3。该方法利用等离子辅助L-MBE设备,在高真空条件下在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜,在100-400W射频功率得到光学和电学性能优良的非晶态InGaZnO透明导电薄膜。