[01341787]一种横向高压功率器件的结终端结构2
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技术详细介绍
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接,延伸路径为圆弧路径;这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向,P型埋层9超出N型漂移区2一些距离,改善电荷不平衡问题。本发明的有益效果为,改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与连接处电场曲率效应的问题,避免器件提前击穿,从而得到最优化的击穿电压。