[00134513]基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110080969.0
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法，其包括：一SI-GaAs衬底；一位于所述衬底上的AlAs缓冲层；一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层；一位于所述下接触层上的多量子阱层；一位于所述多量子阱层上的AlAs:Si上接触层；一位于所述上接触层上的金属薄膜和上电极，所述的金属薄膜具有光栅结构，所述的上电极镶嵌于金属光栅中；一位于所述下接触层上并环绕整个所述的金属薄膜、上接触层和多量子阱层的环形下电极。本发明公开的探测器利用Plasmon的局域特性和光栅的选频特性，实现了信号的增强和滤波，提高了量子阱的吸收效率，增强了量子阱红外探测器的灵敏度。
本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法，其包括：一SI-GaAs衬底；一位于所述衬底上的AlAs缓冲层；一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层；一位于所述下接触层上的多量子阱层；一位于所述多量子阱层上的AlAs:Si上接触层；一位于所述上接触层上的金属薄膜和上电极，所述的金属薄膜具有光栅结构，所述的上电极镶嵌于金属光栅中；一位于所述下接触层上并环绕整个所述的金属薄膜、上接触层和多量子阱层的环形下电极。本发明公开的探测器利用Plasmon的局域特性和光栅的选频特性，实现了信号的增强和滤波，提高了量子阱的吸收效率，增强了量子阱红外探测器的灵敏度。
