[00134498]高速电调控太赫兹调制器
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110198257.9
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500cm2/Vs以上。本发明实现了以电调制方式对太赫兹波幅值的高速调制效应，调制速度可大于10MHz，相对调制深度大于50％。
本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500cm2/Vs以上。本发明实现了以电调制方式对太赫兹波幅值的高速调制效应，调制速度可大于10MHz，相对调制深度大于50％。
