[00134497]一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110198259.8
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及柔性电子器件制作领域，尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层；通过对其表面直接或涂覆压印材料后通过压印或刻蚀的方法制作几何图形，形成凹槽，从而减少或增加介电层或绝缘层厚度；然后在几何图形的凹槽内填入具有导电特性的材料，并经过固化等后续工艺过程，获得高质量的柔性电子器件。这种柔性电子器件介电层或绝缘层的厚度和膜层平坦度都可以获得精确控制，可以方便实现大面积、性能均一稳定的柔性电子器件制作，完全避免了大面积介电层或绝缘层成膜质量对所制器件均一性的影响。
本发明涉及柔性电子器件制作领域，尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层；通过对其表面直接或涂覆压印材料后通过压印或刻蚀的方法制作几何图形，形成凹槽，从而减少或增加介电层或绝缘层厚度；然后在几何图形的凹槽内填入具有导电特性的材料，并经过固化等后续工艺过程，获得高质量的柔性电子器件。这种柔性电子器件介电层或绝缘层的厚度和膜层平坦度都可以获得精确控制，可以方便实现大面积、性能均一稳定的柔性电子器件制作，完全避免了大面积介电层或绝缘层成膜质量对所制器件均一性的影响。
