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[00134487]I-V二阶微分测量方法及装置

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201110232212.9

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器,锁相放大器及环境条件控制系统;该方法是:将选定频率的交流小信号通过交直流加法器与直流偏压叠加,共同作用于测试样品,含有测试样品信息的信号经前置放大器放大转换成电压信号,由锁相测量倍频信号电压。本发明的优点至少在于:(1)交直流加法器交流通路里含有分压器;(2)交流信号由函数发生器提供,精度较高,并经过分压后幅度很小,降低了其对直流偏置信号的影响,提高了信噪比;(3)直接测量I-V二阶微分随外界条件的变化曲线,方法简单,结果精确直观,并且对测试者电路设计水平要求不高。
本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器,锁相放大器及环境条件控制系统;该方法是:将选定频率的交流小信号通过交直流加法器与直流偏压叠加,共同作用于测试样品,含有测试样品信息的信号经前置放大器放大转换成电压信号,由锁相测量倍频信号电压。本发明的优点至少在于:(1)交直流加法器交流通路里含有分压器;(2)交流信号由函数发生器提供,精度较高,并经过分压后幅度很小,降低了其对直流偏置信号的影响,提高了信噪比;(3)直接测量I-V二阶微分随外界条件的变化曲线,方法简单,结果精确直观,并且对测试者电路设计水平要求不高。

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