[00134467]Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110367361.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，第二介质层设于第一介质层和主栅表面，主栅设于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层、第二半导体形成MIS结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区，副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。
一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，第二介质层设于第一介质层和主栅表面，主栅设于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层、第二半导体形成MIS结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区，副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。
