[01337595]功率半导体器件的电极引出技术
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技术详细介绍
该研究旨在制作一组导电、绝缘薄膜,对半导体器件芯片表面电极进行有选择的电镀,并在电镀层上加金属压块或焊接引线,从而构成完整的主电极引出工艺。该技术在GTO的制造工艺中实施获得成功,用该技术研制的GTO已通过技术鉴定。该技术能满足可关断晶闸管（GTO）一类器件精细的多个孤立主电极的并联引出要求,也可用于巨型晶体管（GTR）门极辅助关断晶闸管（GATT）等一般功率半导体器件的制造工艺。该技术使功率半导体器件可采用平面工艺,允许有较高的元胞集成度,使用设备简单,成本低廉,可靠性好,并适用于批量生产,可大大降低制作难度和设备投资,从而使产品成本显著降低,性能有所提高。