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[01335015]一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件,属于功率半导体器件技术领域。

这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板,并利用高K介质作为场板介质。

一方面,结型场板的PN结电场调制器件表面电场,改善器件的电场分布,提高器件耐压;另一方面,在反向阻断状态时,结型场板辅助耗尽器件漂移区,使器件漂移区掺杂浓度大幅提高,从而降低导通电阻;高K介质用作场介质层,更有利于导通电阻和静态功耗的降低。

与常规金属场板相比,结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷;与多晶电阻场板相比,结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。

此外,本发明也与SOI?CMOS电路具有很好的兼容性。

一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件,属于功率半导体器件技术领域。

这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板,并利用高K介质作为场板介质。

一方面,结型场板的PN结电场调制器件表面电场,改善器件的电场分布,提高器件耐压;另一方面,在反向阻断状态时,结型场板辅助耗尽器件漂移区,使器件漂移区掺杂浓度大幅提高,从而降低导通电阻;高K介质用作场介质层,更有利于导通电阻和静态功耗的降低。

与常规金属场板相比,结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷;与多晶电阻场板相比,结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。

此外,本发明也与SOI?CMOS电路具有很好的兼容性。

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