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[01323213]增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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技术详细介绍

本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法,其包括:n^+型GaN衬底(1)、n^-型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11),源极之间的势垒层上有p^+型GaN帽层(8),p^+型GaN帽层两侧刻有台阶(9),p^+型GaN帽层上淀积有栅极(12),n^+型GaN衬底下淀积有漏极(13),钝化层(14)包裹除漏极底部以外的所有区域,钝化层内两侧有阶梯场板(15),阶梯场板与栅极电气连接,钝化层和阶梯场板上有保护层(16)。

本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小,可用于电力电子系统。

本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法,其包括:n^+型GaN衬底(1)、n^-型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11),源极之间的势垒层上有p^+型GaN帽层(8),p^+型GaN帽层两侧刻有台阶(9),p^+型GaN帽层上淀积有栅极(12),n^+型GaN衬底下淀积有漏极(13),钝化层(14)包裹除漏极底部以外的所有区域,钝化层内两侧有阶梯场板(15),阶梯场板与栅极电气连接,钝化层和阶梯场板上有保护层(16)。

本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小,可用于电力电子系统。

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