[01321509]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种金属氧化物场效应晶体管的器件结构及制作方法，其自下而上包括衬底（1）、Ga2O3外延层（2）和低掺杂n型Ga2O3薄膜（3）。
薄膜上设有高掺杂n型离子注入区（4）和绝缘栅介质（7），离子注入区上设有源电极（5）和漏电极（6），绝缘栅介质上设有栅电极（8）。
Ga2O3外延层上设有多个氢离子注入区（9），这些氢离子注入区位于栅电极与漏电极之间的外延层中，且随着氢离子注入区与栅电极的距离增加，这些氢离子注入区的宽度随之减小，它们之间的间距随之增大。
本发明通过氢离子对电子的吸引调节电场，提高了器件击穿电压，可用于作为功率器件和高压开关器件。