[01290600]槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管
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技术详细介绍
本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11）和保护层（12）。
该漏场板（11）与漏极（5）电气连接，该槽栅（7）与栅场板（9）电气连接，其中，势垒层（3）上开有凹槽（6）。
栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板（10）。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。
本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。