[01281783]带隙改性Ge CMOS集成器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种带隙改性Ge CMOS集成器件及其制备方法。
该制备方法包括：选取Si衬底;在Si衬底上生长Ge薄膜层、Ge层;在Ge层上生长GeSn层;在GeSn层和Ge层内制作STI;在GeSn层表面淀积栅介质层和栅极层;刻蚀栅介质层和栅极层，形成PMOS器件和NMOS器件的栅极区;在GeSn层表面离子注入形成CMOS集成器件的PMOS器件源漏区和NMOS器件源漏区，利用应力施加装置对待改性的CMOS集成器件施加机械应力，最终形成带隙改性Ge CMOS集成器件。
本发明的CMOS器件利用的沟道材料为直接带隙改性Ge材料，相对于传统Si材料载流子迁移率提高了数倍，提高了CMOS集成器件的电流驱动与频率特性。
且该器件适于与光子器件实现单片光电的集成。