[01238267]一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法
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本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法,本发明利用质子束作为辐照源,采用两种不同能量和注量的质子束,先后辐照GaN光电导开关器件,以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层,所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i-GaN层和n-GaN层,在n-GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2;质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性,制备超快响应照GaN光电导开关器件,可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域,具有重大的科学价值和广阔的应用前景。