[01227182]一种太赫兹辐射吸收层及其制备方法5
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种太赫兹辐射吸收层及其制备方法,该吸收层制备在太赫兹探测器探测单元的顶层,包括金属薄膜与吸附于其表面的有机分子膜。所述金属薄膜为探测单元的上电极或单独制备的金属太赫兹辐射吸收薄膜,具有表面粗糙和吸附有机分子膜的特性。有机分子膜利用其原子间振动或转动能级与太赫兹辐射能量匹配特性进行太赫兹辐射吸收,具有粗糙表面的金属薄膜与其一起形成太赫兹辐射吸收层。利用有机分子膜对太赫兹辐射的高吸收率,可突破金属薄膜的吸收限制,显著增强探测单元的太赫兹辐射吸收,提高探测器的太赫兹探测性能。
本发明公开了一种太赫兹辐射吸收层及其制备方法,该吸收层制备在太赫兹探测器探测单元的顶层,包括金属薄膜与吸附于其表面的有机分子膜。所述金属薄膜为探测单元的上电极或单独制备的金属太赫兹辐射吸收薄膜,具有表面粗糙和吸附有机分子膜的特性。有机分子膜利用其原子间振动或转动能级与太赫兹辐射能量匹配特性进行太赫兹辐射吸收,具有粗糙表面的金属薄膜与其一起形成太赫兹辐射吸收层。利用有机分子膜对太赫兹辐射的高吸收率,可突破金属薄膜的吸收限制,显著增强探测单元的太赫兹辐射吸收,提高探测器的太赫兹探测性能。