[01216332]基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSi材料的应变多量子阱激光器及其制作方法,势垒层采用GeSiSn材料;势阱层采用GeSn材料。赝衬底（Ge）、缓冲层（GeSn）、有源区（GeSn/GeSiSn）在衬底（Si）上依次由下至上竖直分布,且Si3N4张应力薄膜包裹在赝衬底、缓冲层及有源区的周围。本发明激光器的制作方法包括：（1）采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn及GeSiSn材料,（2）采用标准激光器制作工艺加工器件。本发明通过多量子阱结构和外加Si3N4应力薄膜引入的张应变,不仅使激光器的激光波长发生了红移,而且明显提高了激光器的光增益并极大的降低了阈值。