[01215612]双异质结光探测器及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法,包括：（a）对半绝缘半透明衬底进行清洗;（b）在所述衬底上生长底电极层;（c）在所述底电极层上生长第一MoS2层;（d）在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层;（e）在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层;（f）在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽,显著降低了器件暗电流,提高器件在弱光下的探测性能;制备工艺简单,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点;制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作,具有优异的低功耗特性,且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。