[01204449]一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法
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本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件,包括在n+硅衬底层上面连接有n-外延层,n-外延层的上方设置有平面栅极G,平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一个p基区,每个p基区内设置有n+源区,在表面处n+源区与p区短路形成源极S,其特征在于,在两个p基区之间,并且沿n-外延层上端中间部位开有沟槽,沟槽内部填充有多晶硅栅,该部分多晶硅栅与n-外延层之间填充有栅氧化层,该部分栅氧化层和多晶硅栅分别与n-外延层上方平面部分的栅氧化层和多晶硅栅连为一体。该沟槽平面栅MOSFET结构提高了器件的击穿电压,降低了导通电阻,且开关损耗保持不变;器件设计与制造的自由度增加。该沟槽平面栅MOSFET器件的制作工艺成本低,并与现有的VDMOS工艺完全兼容。