[01182334]基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法,主要解决现有技术不能精确控制阈值电压的问题。其制作过程包括：在衬底基片上,自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层;在GaN帽层上制作源、漏电极;根据阈值电压的设计要求计算出势垒层剩余厚度和开栅结构的导通电阻;根据计算出的理论值,在源、漏电极之间的AlGaN势垒层上制作相应深度的凹槽;将样品在N2气氛中进行快速热退火;在凹槽上方制作栅电极;在源、漏电极上方制作金属互联,完成器件制作。本发明能够根据实际需求来制备具有特定的阈值电压的器件,可用于高频大功率的集成电路中。