[01175666]一种槽型横向MOSFET器件的制造方法
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技术详细介绍
一种槽型横向MOSFET器件的制造方法,属于功率半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、热生长形成绝缘介质层、淀积半导体层、平坦化半导体层、倾斜离子注入、高温推结、淀积绝缘介质以及平坦化绝缘介质,最后形成有源区和电极等关键工艺步骤,实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。 本发明的工艺有以下优点： 第一,本发明可以在槽两侧壁形成两种不同掺杂类型、窄且高浓度的延伸至介质槽底部的P柱区或者N柱区,有利于提高器件的耐压,降低导通电阻和缩小器件横向尺寸; 第二,不需要复杂的掩膜,降低了工艺成本; 第三,避免介质槽填充及平坦化对体区、体接触区、以及源区和漏区产生的影响。