[01172106]基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜,并刻蚀SiN薄膜成条形阵列;3.对带有SiN薄膜阵列的SGOI晶圆进行退火;4.腐蚀去除SGOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列,得到晶圆级单轴应变SGOI材料。本发明利用在条形SiN薄膜阵列作用下顶层Ge层会发生单轴拉伸或单轴压缩形变的特性引入应变,与现有工艺兼容,可制作用于光电集成、系统级芯片所需的SGOI晶圆。