[01144867]基于铌酸锂光子线的光定向耦合器及其制备方法
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所属行业:
光学仪器
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于铌酸锂(缩写为LN)光子线的光定向耦合器,由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和平行对称的LN波导组成,其中,LN波导的高度为0.73μm,顶部宽度为0.4μm~0.55μm,波导的中心距为0.6μm~0.9μm。工作波长λ=1.55μm.适合于该定向耦合器的波导参数是:LN波导的折射率nLN=2.2;SiO2区域的折射率nSiO2=1.44;可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiveFDTD商用软件仿真了该定向耦合器的耦合长度与两平行LN光波导轴间距的关系曲线,耦合长度与LN波导宽度的关系曲线,串噪音与工作波长的关系曲线。该光定向耦合器不仅具有超紧凑结构,和与极化无关的特点,而且还具有抵抗外部环境及压力变化引起结构参数改变,从而导致耦合长度变化的优点。
本发明公开了一种基于铌酸锂(缩写为LN)光子线的光定向耦合器,由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和平行对称的LN波导组成,其中,LN波导的高度为0.73μm,顶部宽度为0.4μm~0.55μm,波导的中心距为0.6μm~0.9μm。工作波长λ=1.55μm.适合于该定向耦合器的波导参数是:LN波导的折射率nLN=2.2;SiO2区域的折射率nSiO2=1.44;可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiveFDTD商用软件仿真了该定向耦合器的耦合长度与两平行LN光波导轴间距的关系曲线,耦合长度与LN波导宽度的关系曲线,串噪音与工作波长的关系曲线。该光定向耦合器不仅具有超紧凑结构,和与极化无关的特点,而且还具有抵抗外部环境及压力变化引起结构参数改变,从而导致耦合长度变化的优点。