[01140556]一种横向高压DMOS器件
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技术详细介绍
一种横向高压DMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度,减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积,在降场层3之间提供了额外的第二导电类型半导体电流通道16,增加了电流流动路径的面积,同时也提供了相对较短的导电路径,并且可以增加第二导电类型半导体漂移区16的浓度,极大地降低了器件导通电阻。与常规具有降场层的横向高压DMOS器件相比,本发明提供的横向高压DMOS器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明提供的高压半导体器件可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。其电流能力较现有双通道横向高压DMOS器件电流能力有17%的提高。