[01121723]一种增强型硅基光电二极管及其制作方法
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技术详细介绍
本项目提供一种增强型硅基光电二极管及其制作方法,以实现紫外光电二极管结构简单、制作容易,且具有高紫外选择性、高紫外响应度、低响应时间等优点。光电二极管包括P型衬底,P型衬底上设有高压深N阱,高压深N阱上设有P阱,P阱上设有低掺杂的N型层,低掺杂的N型层上注入了条纹状P+阳极,条纹状P+阳极与低掺杂N型层形成具有紫外/蓝紫光增强响应的光电二极管结构。低掺杂的N型层与P阱形成寄生光电二极管,P阱与高压N阱形成寄生二极管,两二极管成背对背结构,电极引出端形成短路结构,有效隔离并降低了器件对可见/近红外光的响应程度,大幅度提高了器件的紫外选择性。器件版图设计成八边形环状结构,有效降低边缘击穿效应。感光窗口设计成环形条纹状结构,提高了紫外响应度和量子效率,降低了响应时间。