[00111529]功率型发光二极管器件及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200610033793.2
交易方式：
技术转让
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板上；在基板上分别封装多个发光二极管芯片，形成多组串联电路；多组串联电路依次连接电压补偿热敏电阻、光敏电阻、参数电阻；利用这种方法制作的器件可以显示其各个串联电路中发光二极管芯片相加的电压、电路对应补偿电阻数值，以及器件焊接完成后测量该串联电路的电压；而且器件具有串并联电路及其电压温度补偿特点。
本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板上；在基板上分别封装多个发光二极管芯片，形成多组串联电路；多组串联电路依次连接电压补偿热敏电阻、光敏电阻、参数电阻；利用这种方法制作的器件可以显示其各个串联电路中发光二极管芯片相加的电压、电路对应补偿电阻数值，以及器件焊接完成后测量该串联电路的电压；而且器件具有串并联电路及其电压温度补偿特点。
