[00111526]高亮度发光晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200710026965.8
交易方式：
技术转让
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
