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[00110853]等离子体处理装置和方法

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200680036192.5

交易方式: 技术转让

联系人: 东北大学

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所在地:辽宁沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管(35)的下面(31)的多个缝隙 (70)在被配置在处理室(4)上面的电介质(32)中传播,利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量,使被供给到处理室(4)内的处理气体等离子体 化,对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1),在电介质(32)下面形成深度各异的多个凹部(80A~80G)。通过使各个凹部 (80A~80G)的深度各异,来控制在电介质(32)下面的等离子体的生成。
  本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管(35)的下面(31)的多个缝隙 (70)在被配置在处理室(4)上面的电介质(32)中传播,利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量,使被供给到处理室(4)内的处理气体等离子体 化,对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1),在电介质(32)下面形成深度各异的多个凹部(80A~80G)。通过使各个凹部 (80A~80G)的深度各异,来控制在电介质(32)下面的等离子体的生成。

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