[00110819]磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200610108923.4
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上,配备了高输出的隧道磁阻效应元件,应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有CO、FE和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MGO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上,配备了高输出的隧道磁阻效应元件,应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有CO、FE和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MGO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
