[00110622]电介质膜及其形成方法
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200680003184.0
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种电介质膜,通过使处于SI3≡N结合状态的N以3原子%以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上,并以0.1原子%以下的浓度存在于界面侧上,可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用AR/N2游离基氮化的情况下,难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子%以上,在界面侧达到0.1原子%以下,但通过对XE/N2、KR/N2、AR/NH3、XE/NH3、KR/NH3、AR/N2/H2、XE/N2/H2、KR/N2/H2的任意一种气体进行组合使用,可以实现上述的N浓度分布。
一种电介质膜,通过使处于SI3≡N结合状态的N以3原子%以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上,并以0.1原子%以下的浓度存在于界面侧上,可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用AR/N2游离基氮化的情况下,难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子%以上,在界面侧达到0.1原子%以下,但通过对XE/N2、KR/N2、AR/NH3、XE/NH3、KR/NH3、AR/N2/H2、XE/N2/H2、KR/N2/H2的任意一种气体进行组合使用,可以实现上述的N浓度分布。
