[00110601]电荷保持特性良好的非易失性半导体存储元件技术
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200680033206.8
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃～1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃～1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
本发明提供使浮栅周围的绝缘体的绝缘性的提高和浮栅中的已氧化的金属超微粒子的比例的降低成为可能的非易失性半导体存储元件及其制造方法。具有由作为吉布斯氧化物生成自由能在0℃～1200℃的范围内比SI高的元素的难氧化性物质形成的浮栅 以及包裹该浮栅周围的由该自由能与SI相同或更低的易氧化性物质的氧化物形成的绝缘体的非易失性半导体存储元件的制造方法中,难氧化性物质的浮栅使用物理 形成法形成,易氧化性物质的氧化物使用物理形成法或化学形成法形成,形成栅极绝缘膜后,在氧化用气体和还原用气体的混合气体中,在0℃～1200℃的范围 内,控制混合气体的混合比以及温度进行热处理,使得仅还原难氧化性物质,且仅氧化易氧化性物质的氧化物。
