[00110463]半导体器件
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200680048843.2
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同,因其载流子迁移率不同,就需要使P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管,以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此,在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时,能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。
为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同,因其载流子迁移率不同,就需要使P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管,以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此,在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时,能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。
