[01042996]溶液法制备碟形大晶粒MIC多晶硅薄膜技术
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技术详细介绍
该项目在非真空条件下，将非晶硅浸沾入镍盐溶液之中，通过适当控制溶液浓度、PH值、浸沾时的温度和时间等工艺条件，使其表面受控得到所需数量的Ni媒质，经500℃－590℃温度氮气氛围下退火数小时以后，形成碟形大晶粒多晶硅。该成果用碱性溶液调节Ni盐溶液的PH值，提高在非晶硅表面形成镍媒质的均匀性和重复性的可控性；通过控制晶化前驱物的制备条件与浸沾条件，得到晶粒尺寸大于100微米的碟形晶畴；通过Ni浓度的控制、可大幅度减少膜内残余Ni含量，poly-Si中残余Ni含量不高于0.05%；霍耳迁移率高（mH ≥40cm^2/V.s（电子））；能克服退火过程玻璃衬底收缩对后续微加工套刻的影响，适用于薄膜微电子集成电路的制作。