技术详细介绍
一、项目特点和技术指标
类金刚石半导体薄膜特点：
1．宽带隙并且可在2ev～5ev范围内调节。
2．高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。
3．可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。
4．可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。
5．具有很高的电子亲和势，可用于制备各种微真空器件的冷阴极。
6．制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。
二、技术成熟程度
本项目处于探索阶段，先测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能，如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性，改进材料生长条件，探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。
三、应用范围
类金刚石半导体薄膜作为最有应用前景的宽带材料之一，可制备大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等新型半导体器件，可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作，并有可能用于制备各种功能的微真空器件。
四、投产条件和预期经济效益
投产条件：
1、合作伙伴最好是类金刚石半导体薄膜材料的生产或研发单位，已具有类金刚石半导体薄膜生长设备，能提供研发所需要的类金刚石半导体薄膜。
2、投产资金：10万元人民币从事类金刚石薄膜半导体光电基本性能的材料和分析。若需要新建立类金刚石半导体薄膜材料生长设备，另需约30万元人民币。
预期经济效益：
本项目是源头创新的研发工作。先投入少量经费开展类金刚石薄膜半导体基本性质的研究，改进现有薄膜材料生长工艺，使所生长的薄膜材料能适应半导体器件的要求；再探索用类金刚石薄膜材料研发各种新型半导体器件的可能性并尽快研发出适合市场需要的新型半导体器件。
五、合作方式
合作开发