技术简介： 该项目是一种污油罐底部淤泥厚度测量器，解决了现有淤泥厚度测量方法不安全、不准确的问题。具体包括测量机构及定位机构，所述测量机构为长度可调式直杆，直杆下方沿轴向设置倒齿结构；所述定位…… 查看详细 >
技术简介： 该项目产品属于电磁波对等离子体的加热技术领域。本发明用于适应在H11模式电磁波对等离子体的加热所产生的效应的研究中，对于改变微波功率，持续时间来考察不同功率微波对等离子体加速特性的实…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种堆料场用移动式输送机，包括：输送臂架、托辊、动力系统、支撑架和滚轮；其特征在于：所述输送臂架位于支撑架上方，为桁架结构，其一端安装有动力系统；所述托辊有安装在输…… 查看详细 >
技术简介： 本专利利用注塑成型方法在泡沫铝孔中引入高分子耐磨材料，从而得到三维互穿结构的耐磨复合材料。它同时具有金属的高导热、散热性能，也具有高分子材料的耐磨、自润滑性能。可广泛应用于机械、汽…… 查看详细 >
技术简介： 本装置属2003年度火炬计划项目产品，项目在2002年度获得国家技术创新基金支持。该产品由武大英康集成媒体有限公司自主开发。本装置使用摄像头对用户所关心的区域进行监视，装置对所监视图像进行…… 查看详细 >
技术简介： 一、项目简介电纺直写（近场静电纺丝）方法以其固有的原理性优势已经被学术界广泛认可和应用，但响应快速、精密、微量（～1pl级）高粘度流体的连续输运供液是制约其获得产业化应用的技术难点。…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺…… 查看详细 >
技术简介： 一种n-型Mg-Sb基室温热电材料及制备方法，热电材料的化学通式为Mg3δMnxSb2?y?zBiyAz，其中A为氧族元素S、Se或Te，?0.2≤δ≤0.3；x、y、z为原子比率，x＝0.001～0.4；y＝0～1.0；z＝0～0.2。按…… 查看详细 >
技术简介： 一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下，包括：将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方(S100)；通…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种高性能N型PbTe基热电材料及其制备方法。本发明的方法包括先制备PbTe粉末，再通过机械合金化方法将PbTe粉末和InSb粉末纳米化，最后通过放电等离子烧结制备得到热电材料，通过调节…… 查看详细 >