技术简介： 本发明公开了一种低热导的太赫兹探测单元微桥结构,该微桥结构包括桥墩、桥腿、桥面。桥墩连接底层读出电路与桥腿,桥腿呈悬空结构并连接桥墩与探测桥面,桥面由两只桥腿支撑形成悬空结构。桥面实…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法,主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜,主要解决现有技术工艺复杂,制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100-500μm厚的m面SiC衬底层、20-120nm厚的GaN成核层、1500-5000nm…… 查看详细 >
技术简介： 在用电解方法生产电解锰的企业中，大多采用碳酸锰矿为原料，将它们制备成矿浆后装在浸取槽中以浸取电解液，然后进行电解。为保证浸取充分，在浸取槽中均设置有搅拌矿浆的搅拌桨。由于传统的搅拌…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P…… 查看详细 >