技术简介： (1)一种石英砂干法生产中与粉料简易气流分级机相配套的,对石英砂细微颗粒分级设备。石英砂干法加工规模化连续生产中需要将粉碎的混合物料中120目以上的产品从系统中分离出来,并对120目及以上规…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积1…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种蓝宝石衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用微米级工艺制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱,并在N/P阱上生长Poly-Si/SiN/Poly-Si多层结构;将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口,再淀积一层SiO2;刻蚀掉表面…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件,整个器件分为A-GCT和PIN二极管两部分,A-GCT部分结构是,n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区,该p+基区中间段上表面,与波状p基区的波峰对应位置设置…… 查看详细 >
技术简介： 非金属电热元件采用组合结构直接砌作炉作体内衬，直接用于熔炼金属，可用于有色金属铸造、冶炼和热镀锌等领域中，熔铸过程中不增加熔体的杂质，没有渗漏危险。本技术已获国家专利，正在着手进行…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种金属氧化物场效应晶体管的器件结构及制作方法，其自下而上包括衬底（1）、Ga2O3外延层（2）和低掺杂n型Ga2O3薄膜（3）。薄膜上设有高掺杂n型离子注入区（4）和绝缘栅介质（7）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法，其包括：n^+型GaN衬底（1）、n^-型GaN漂移层（2）、n型GaN孔径层（3）、电流阻挡层（4）、GaN沟道层（6）和势垒层（7…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的一种油气自动转换器，包括底座，底座上竖直设置有中空的柱塞桶，柱塞桶内竖直设置有可以在柱塞桶内上下活动的柱塞杆，柱塞桶的上端依次向上设置有稳合盘、油箱。柱塞杆的上端固定有…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、源场板（9）…… 查看详细 >
技术简介： 标题一这是第一段文字。这是第二段文字。标题二这是第三段文字。这是第四段文字。标题三这是第五段文字。这是第六段文字。标题四这是第七段文字。这是第八段文字。标题五这是第九段文字。这是第…… 查看详细 >
技术简介： 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底;制备DNW;制备场氧;制备N阱、P阱;制备栅及场板;制备NSD;制备PSD;退火;NSD／PSD推结;制…… 查看详细 >