技术简介： 内容简介：该系统开发基于GSM/CDMA/GPRS高端通讯架构，集定位导航、电子地图、汽车通讯、汽车防盗、远程控制等服务或功能的汽车电器产品，系统利用3G技术，即GPS(GlobalPositioningSystem)全球…… 查看详细 >
技术简介： 横向高压器件LDMOS作为高压集成电路的核心器件广泛地应用在小家电,LED照明,适配器,网络通信设备等。LDMOS作为功率开关应用时,由于需要提供高压和大电流,常采用叉指状结构;由于小曲率终端区电场…… 查看详细 >
技术简介： 成果（项目）简介SiC双极型退化是阻碍SiC电力电子器件向超高压（>10kV）、大功率应用领域发展的关键问题，目前全球尚无商业SiC双极型器件面世。本项目针对此问题，实现了SiC低氮掺漂移层、高氮…… 查看详细 >
技术简介： 成果（项目）简介目前，美国Qorvo和其他多数厂商均采用GaN-on-SiC技术路线制备GaN基射频器件。然而，SiC衬底成本较高，因此，研制低成本的硅基GaN射频器件成为迫切需求。另一方面，为提升器件频…… 查看详细 >
技术简介： 成果（项目）简介GaN基电力电子器件作为对电能实现高效控制的核心部件，在整个电力电子技术中扮演着至关重要的角色。最近三年内，以日本松下、美国EPC、加拿大GaNSystem为代表的三家半导体功率…… 查看详细 >
技术简介： 特定大小窄粒径分布的颗粒，其性质均一，具备优异的加工性能（如流动性、均匀性和可压性等）和稳定的化学性能（如药性、电化学性能、催化特性等），在矿物加工（砂状氧化铝、选矿）、生物医药（…… 查看详细 >
技术简介： 适宜转化地区/区域:不限成果简介：光伏电池组件在运行维护中面临三个问题，（1）光伏板使用环境较差，如粉尘、风沙、鸟粪等污染，大幅降低了发电量。（2）光伏电板温差变化大，导致机组热辐射损…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于Ga2O3材料的复合型双栅高速PMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取N型半绝缘衬底,采用分子束外延生长N型β-Ga2O3层;采用干法刻蚀形成台面,在台面两侧位置处采用离子注入工艺…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Cu-C电刷材料及其制造工艺。该材料主要由铜（Cu）、亚微米/纳米尺度的石墨粒子（C）和微量添加元素（Cr）三种组分构成;经配料、高能球磨、冷压、抽真空、快速区域熔炼工艺制成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有亚微米结构的OLED制造工艺,包括下述步骤：（a）制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜;（b）二氧化硅图形化：在步骤（a）所述的二氧化硅薄膜上…… 查看详细 >
一种半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法
技术简介： 本发明公开了新型半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法：清洗热丝,并将其安装在真空室内进行碳化处理;对衬底清洗后装入真空室,对已装入真空室的衬底进行氢处理和碳化处理;制备薄膜：…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：由于地球大气层中的臭氧对200-290nm波段紫外光的几乎完全吸收，形成所谓的“日盲区”，此时，导弹羽烟的紫外辐射在微弱的紫外背景下就容易显现出来。因此，紫外告警系统可以在比较干…… 查看详细 >