技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件,其特征在于,所述P+栅极区1的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐…… 查看详细 >
技术简介： 在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法,其实现步骤为：1.对GeOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积1GPa…… 查看详细 >
技术简介： ZJ8008D型防盗防火报警系统，是采用现代先进的红外被动遥感技术和数字电路技术相结合的报警装置。是当今防盗防火领域中最新产品，具有防盗防火的双重功能。该系统由遥感发射头和多路接收报警机…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法,用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上;将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积1GPa以上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有机电致发光器件的封装工艺,其基板采用带铬的ITO或FTO薄膜玻璃。通过设计刻蚀区域,将显示器的区域上的铬刻蚀掉,其余部分的铬保留,器件封装时在铬上涂覆封装胶,进行盖板封装。这…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种功能化的Si基板表面制备图案化BiFeO3薄膜的方法,该方法包括下述步骤：步骤一：选用Si基片为基底,将切割好的Si基片分别超声波清洗,吹干,紫外光照射仪中照射;步骤二：将经紫外光…… 查看详细 >
技术简介： 一种具有延伸栅结构的SOILDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOILDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种浮空栅-漏复合场板垂直型电力电子器件,其自下而上包括：肖特基漏极（13）、衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、两个对称的电流阻挡层（4）、沟道层（6）、势垒层（7）、帽层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种弧形栅场板电流孔径功率器件,主要解决现有垂直功率器件中场板结构无法有效调制器件中电场分布的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、二级台阶形的电流阻挡层（…… 查看详细 >