技术简介： 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED结构复杂,工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极,其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000-…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种基于钙钛矿薄片的发光器件及其制备方法，加工方便，制备简单，通过生长带隙可调的钙钛矿薄片对器件进行组装。其包括如下步骤，步骤一，通过控制卤素离子掺杂量得到对应发光波长的单晶…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积…… 查看详细 >
技术简介： 近年来国内对低速走丝电火花线切割机的需求在逐年增加，年销量已从2000年的200多台增加到2005年的约2000台，但目前国内企业仅能生产一些中低档机床，高档机床全部需要依赖进口。与国外高档次机…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有高启动电压的磁控溅射脉冲电源,包括依次连接的DC输入、高压启动模块、脉冲发生模块和续流模块,续流模块与磁控溅射装置中的基片和靶材连接;高压启动模块与异常检测模块连接,…… 查看详细 >
全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法
技术简介： 本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种印制电路内层可靠孔和线的加工方法。该加工方法先将内层双面覆铜板的面铜减薄且钻出所需导通孔,然后进行化学镀铜及快速电镀铜;接着运用图形转移技术将所需线路及导通孔露出,并…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括：衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶（或其他形式的分散相）的形成与喷射、…… 查看详细 >
技术简介： 一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区（12a）,并在有源层和衬底之间…… 查看详细 >
技术简介： 异质结是半导体器件的重要组成部分,科学家对此进行了大量的研究,硅基CdS异质结是其中重要的一个研究方向。随着社会经济的发展,为实现不同的功能和需求,对半导体器件的尺寸提出了更高的要求。科…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法,包括：S1：选取衬底;S2：在所述衬底上生长底电极层;S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层;S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层;S5：在所述杂化钙…… 查看详细 >