技术简介： 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器，包括硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔、NbN纳米线和耦合反对称分裂环谐振器，其中由下至上依次为所述硅基底、金膜反射层、二氧化硅…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面…… 查看详细 >
技术简介： 一种荧光玻璃光转换材料的制备方法，包括步骤：(1)将质量比为100:1～100:150的玻璃B与荧光体C混合物装进氧化铝或Pt坩埚；将坩埚放进加热装置，并加热至温度T1，混合熔体在T1保温1～5小时；(2)将…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种集成传感单元的LED器件，在芯片上包含LED发光区域，以及传感单元；该传感单元为发光区域以外独立PN结的二极管；通过检测传感单元一定正向电流下的电压大小来监测该LED器件的结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形…… 查看详细 >
表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为…… 查看详细 >
技术简介： ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基…… 查看详细 >
技术简介： 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层…… 查看详细 >
在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
技术简介： 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源…… 查看详细 >