技术简介： 本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种柔性薄膜温差电池及其制作方法。所述制作方法首先是将第一、第二柔性绝缘基片进行清洗，再在第一、第二柔性绝缘基片上分别镀制上P型热电薄膜和N型热电薄膜，并在所述的P型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种电网输电断面确定方法和装置，所述方法包括确定电网中所有的电压主导度的局部极值点；依次移除具有最大电气耦合强度且有功潮流方向一致的输电线路，直至所述电网解裂出新的子网…… 查看详细 >
BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法。BiFeO3/CH3NH3PbI3复合薄膜中BiFeO3为R3c群菱方钙钛矿结构，CH3NH3PbI3为I4cm群的四方钙钛矿结构，且BiFeO3与CH3NH…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种热解试验装置热解试验包括供气单元、热解单元以及热解气冷凝单元；其中，热解单元包括加热装置和干馏管，加热装置包括控制箱、程序控温仪和炉膛内衬，程序控温仪和炉膛内衬均设置在控…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包…… 查看详细 >
技术简介： 本[实用新型]提供了一种学校食堂垃圾处理器，属于厨房用具技术领域。它解决了现有技术垃圾中的剩菜与汤水混合容易腐烂发臭等技术问题。本[实用新型]包括一个具有内腔的箱体，箱体顶部设置有一个…… 查看详细 >
技术简介： 本[实用新型]公开了一种数控型高效气液混合反应容器，包括仓体和基座，所述仓体为椭球形，且仓体的内壁通过支杆周向均匀架设有衬板，所述搅拌杆的杆体上端开设有进气孔，所述进气孔下方的杆体内…… 查看详细 >
技术简介： 本[实用新型]属于数控机床技术领域且公开了一种可吸尘的数控机床防护罩，包括防护罩本体、第一防护罩、第二防护罩、散热孔、监视窗、滑槽、滑轮、抽风机、导风管和积尘室，所述防护罩本体设置有…… 查看详细 >