技术简介： 本发明一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构，其特征是：主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成；其中：所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层。在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅通孔结构及其制作方法，所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条。将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种埋入芯片式封装基板的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）提供辅助板和选取临时粘膜；2）形成临时粘膜；3）制作金属线路层；4）扣压辅助板；5）制作凹型空腔结构；6）电气互…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口，其窗口的主体由等离子体纵向引射式气动窗口组成，利用了超音速等离子体的动能压力和等离子体高温双重隔离作用，引出窗口能获得极大的真空…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层1…… 查看详细 >