技术简介： 本发明公开了一种利用水吸收甲醛的表面波甲醛气体传感器结构，包括压电基片、电极、导电敏感膜、绝缘敏感膜和电气引线，导电敏感膜、绝缘敏感膜吸附水蒸气，水蒸气吸附甲醛气体。吸附甲醛气体后…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种声表面波传感器复合敏感膜的制备装置传感器复合敏感膜包括出口对准声表面波器件的表面的至少两个气喷雾沉积装置，不同的气喷雾沉积装置中填装不同材料的溶液，所有气喷雾沉积装置…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种多功能智能调光控制器调光控制器包括单片机工作电路、电源电路、交流电压采集电路、交流电流采集电路、LED驱动器电压采集电路、LED驱动器电流采集电路、调光输出电路、DALI通信接…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供一种多功能智能调光控制器调光控制器包括单片机工作电路、电源电路、交流电压采集电路、交流电流采集电路、LED驱动器电压采集电路、LED驱动器电流采集电路、调光输出电路、DALI通…… 查看详细 >
技术简介： 围绕高速铁路弓网系统在高速滑动、持续振动、频繁拉弧、恶劣气候等复杂环境下服役性态的检测监测、诊断评估与检修维护等系列重大技术难题，开展系统的理论研究、技术创新与工程应用。揭示了接触…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >
基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑
技术简介： 摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、…… 查看详细 >