技术简介： 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同…… 查看详细 >
技术简介： 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOS…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本实用新型采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像…… 查看详细 >
技术简介： 基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法，曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb，源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp，源极和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入…… 查看详细 >
技术简介： 一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.…… 查看详细 >