技术简介： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种生物模板排列纳米线的方法，首先在洗净的基底片表面修饰一层聚乙二醇-异丁烯酸(PEGMA)膜；其次在PEGMA膜上覆盖具有微图案的透紫外掩膜板，用紫外光照射获得化学微图案膜；然后在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法，将材料低功函数的特性优势和微纳尖端结构大的场增强因子优势相结合，提出了在金属微纳尖锥结构和碳纳米管或碳纳米纤维结构表面，包覆沉积…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开一种采用银浆粘结的热电发电器件，包括热电片，包括相对设置的热端和冷端、多个第一电极、多个第二电极、多个p型热电结构以及n型热电结构，所述第一电极设置于所述热端的内…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片、封装透镜层以及荧光粉层；所述基板上形成有限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片设置，且所述限…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种单相白光LED器件LED器件包括基板、紫外LED芯片和蜡烛式椭圆本体，紫外LED芯片和蜡烛式椭圆本体固定在基板上，由透明荧光陶瓷经模具注塑或压模成型工艺形成的蜡烛式椭…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种钛酸锶钡基功能薄膜低温制备方法，步骤为：(1)将钛酸丁酯溶于苯甲醇和乙二醇组成的溶剂中形成第一种络合物溶液；(2)将满足钛酸锶钡基功能薄膜分子式化学计量比的碱土金属的碳酸盐或/…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管有源区新型结构，该结构可产生安培级输出电流，应用于太赫兹信号源设计可产生瓦级太赫兹信号输出功率。所发明共振隧穿二极管的有源区中量…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体常压解吸离子源及由其构成的离子源装置,离子源的构成主要包括设计有圆柱管腔的基体件、安装在基体件圆柱管腔内用于调节微波耦合的管状结构主调节件、安…… 查看详细 >