技术简介： 摘要：本发明提供一种多晶硅振膜结构的制作方法。现有方法易导致薄膜的形状及尺寸偏离最优值，影响多晶硅振膜的工作性能。本发明方法首先在基底上依次制备下SiO2薄膜层和下多晶硅薄膜，然后将下…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种过孔加载的半模基片集成波导功率分配器，所述功率分配器为双面印刷电路板结构，两面镜像对称，该功率分配器包括输入传输线部分、全模波导传输部分、全模波导分配部分、半…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种过孔加载的基片集成波导移相器，所述移相器为双面印刷电路板结构，包括介质基板、基片集成波导、左侧馈电结构和右侧馈电结构，两侧馈电结构和基片集成波导结构为金属层，…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种插针式正交模耦合器，该耦合器的主部内设有一个T形的三通道。该三通道的水平通道的左端为公共端口，右端为水平端口。三通道的垂直通道下端即与水平通道部分相交处为耦合谐振…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种超宽带人工表面等离子激元弯曲波导，主要由介质基板层和金属箔层构成。介质基板层和金属箔层均为直角弯板，金属箔层印制于介质基板的其中一侧表面上。金属箔层的表面蚀刻有波导结…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型为一种双带动态可调的太赫兹带通滤波器，有多个相连的阵列单元的二维阵列位于硅基底的通孔上，每个阵列单元包括两个开口环谐振器和一个一字形结构，均为顶面金属层的硅主体，高度相同…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带阻滤波器，硅基底的通孔上为二维阵列，上方进入的太赫兹波穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。阵列单元包括倒梯形环结构和一字形结构，倒梯形环长底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种通过静电驱动进行调节的太赫兹带通滤波器，硅基底有通孔，其上为二维阵列，太赫兹波从二维阵列上方进入，穿过二维阵列得到滤波，从通孔射出。矩形可动框架套在二维阵列外，框架左右…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种Ka波段圆波导TE01模式激励器，由正交波导、矩形阶梯波导、均匀方波导、骨形阶梯波导和均匀圆波导组成。正交波导的一个端口形成模式激励器的输入端口；正交波导的另一端口与矩形阶…… 查看详细 >
技术简介： 本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于可重构柔性模具的曲面微米柱的制造方法，先获得具有背衬热塑性形状记忆聚合物可伸缩微单元阵列，浸没在磁性复合物涂层里获得顶端带有磁性复合物微冲头的可伸缩微单元阵列；然后使磁性复…… 查看详细 >