一种制备表面镀层厚度受控的金刚石的方法及使用该方法制得的产品
技术简介： 摘要：本发明涉及一种制备表面镀层厚度受控的金刚石的方法，所述方法包括如下步骤：(1)提供一表面镀层的金刚石D，其中，所述表面镀层的金刚石D包括金刚石和结合于所述金刚石表面的表面镀层C；(2…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高电压梯度氧化锌电阻片的配方及制备方法。本发明氧化锌电阻片的配方合理优选了氧化锌电阻片的组分与含量，利用该配方制备得到的氧化锌电阻片具有高达350～600V/mm的高电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种致密亚微米晶β‑Al2O3制品，其晶粒尺寸小于或者等于3μm，并且其致密度大于或者等于95％，该β‑Al2O3制品能够满足电池电解质、气体传感器，钠金属提纯等诸多领域获的实…… 查看详细 >
一种通过化学气相渗透提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法
技术简介： 本发明公开了一种提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法，属于基于光固化成型技术快速铸造领域。包括：1)用光固化快速成型技术制造树脂模具；2)通过凝胶注模法向涡轮叶片的树脂模具原型中浇…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法，首先将一定量的中间相碳微球和硅粉湿球磨，得到混合粉末，其次在室温下干压成型制备生坯，最后在微氧化处理下高温反应烧结得到…… 查看详细 >
技术简介： 一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，以短碳纤维作为一种缓释碳源，添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2～33.2％的碳化硅粉末，6.8～41.8％的短碳纤维，15…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50％。先将碳化硅粉…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛树脂，并加入碳化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法，本发明根据化学式0.8Pb[(Fe2/3W1/3)1‑xTix]O3‑0.2BiFeO3称取Fe2WO6粉体与PbO、Bi2O3、Fe2O3和TiO2作为起始原料，将起始材料…… 查看详细 >