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[00304390]一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310719512.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

发布时间: 2020-08-18

联系人: 广西大学

进入空间

所在地:广西壮族自治区南宁

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路,该电路包括激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。本发明为一个二阶振荡电路,采用连续的非线性电阻,具有电路结构简单,参数调节方便,可以完整地保留Duffing‑vanderPol振子动力学特性的优点。
本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路,该电路包括激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。本发明为一个二阶振荡电路,采用连续的非线性电阻,具有电路结构简单,参数调节方便,可以完整地保留Duffing‑vanderPol振子动力学特性的优点。

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